成人精品一二三四,国产超碰91人人做人人爽,啊啊啊少妇,一区二区四虎无码在线

技術(shù)文章/ article

您的位置:首頁(yè)  -  技術(shù)文章  -  什么是SiC MOSFET?

什么是SiC MOSFET?

更新時(shí)間:2024-06-18      瀏覽次數(shù):933

SiC MOSFET是使用化合物半導(dǎo)體SiC(碳化硅)基板代替以往的Si基板的MOSFET。

它用作MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種)的半導(dǎo)體襯底材料。MOSFET 用于開(kāi)關(guān)以及放大器等應(yīng)用。通過(guò)使用化合物半導(dǎo)體SiC作為材料的半導(dǎo)體基板,與以往的Si MOSFET相比,能夠降低施加電壓時(shí)的電阻值。

因此,關(guān)斷期間的開(kāi)關(guān)損耗和電源運(yùn)行期間的功率損耗可以保持在限度。這提高了半導(dǎo)體芯片的性能并降低了晶體管運(yùn)行所需的冷卻能力,從而實(shí)現(xiàn)了更小的產(chǎn)品。

SiC MOSFET的應(yīng)用

SiC MOSFET應(yīng)用于繼電器、開(kāi)關(guān)電源、圖像傳感器等多種半導(dǎo)體產(chǎn)品,如電力電子領(lǐng)域的電子器件。通過(guò)使用SiC MOSFET,可以減少關(guān)斷時(shí)的損耗,從而實(shí)現(xiàn)高速開(kāi)關(guān),因此常用于通信設(shè)備。

選擇SiC MOSFET時(shí),需要考慮產(chǎn)品應(yīng)用的工作條件,例如絕對(duì)最大額定值、電氣特性、封裝用途和尺寸。

SiC MOSFET原理

SiC MOSFET 可以實(shí)現(xiàn)在保持相同擊穿電壓的同時(shí),以低導(dǎo)通電阻和低關(guān)斷損耗運(yùn)行的 MOSFET 結(jié)構(gòu)。該晶體管采用SiC襯底,與Si襯底相比,其物理特性約為3倍的帶隙能量和約10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,因此有源層可以做得更薄,這是有原因的。

SiC MOSFET 具有 p 型和 n 型半導(dǎo)體的堆疊結(jié)構(gòu)。通常,n型半導(dǎo)體堆疊在p型半導(dǎo)體的頂部,并且n型半導(dǎo)體具有漏極和源極,并且氧化物絕緣層和柵極附著在n型半導(dǎo)體之間。另外,本體的硅片采用化合物半導(dǎo)體SiC(碳化硅)作為外延基板。

當(dāng)向 MOSFET 的柵極施加正電壓時(shí),電流在源極和漏極之間流動(dòng)。此時(shí),與僅使用Si的MOSFET相比,在硅晶圓中使用SiC的SiC MOSFET甚至可以在源極和漏極之間更高的電壓和電流下工作。通過(guò)提高半導(dǎo)體中的雜質(zhì)濃度,可以減少損耗并實(shí)現(xiàn)小型化。


產(chǎn)品分類(lèi)

products category

聯(lián)系我們
產(chǎn)品中心
掃一掃
加微信
版權(quán)所有©2025 深圳市京都玉崎電子有限公司 All Rights Reserved   備案號(hào):粵ICP備2022020191號(hào)   sitemap.xml   技術(shù)支持:化工儀器網(wǎng)   管理登陸

TEL:

掃碼添加微信
一区国品二区亚洲人妻| 欧美区自拍区动漫区| 色婷婷在线播放| 母乳人妻av| 日韩一区二区精品久久高清| 美女在线观看不卡| 久久精品人视频| 日韩卡不一免费网站| 午夜神马偷拍| 久久久欧洲精品人妻| 手机在线看永久AV| 天天躁狠狠躁2021| 中国少妇内射XXXX狠干| 收一级毛片| 破除视频在线| 日日动态图| 亚洲中文无码成人影院| 亚洲一区二区 在线| 人妻丰满熟妇岳av无码区| 1717国产精品久久| 84PAO国产成视频永久免费| 久久99国产精品成人欧美 | 国产自慰大片| 无码不卡avtt| 一本色道久久| 欧美性受视频一区二区三区四区| 国产欧美日韩在线观看片| A A A日本片| 国产女人综合久久精品视| 五月婷婷在线观看| 日本乱人伦片中文字幕三区| 久久黄色最近| 真人黄久久久| 欧美丁香五月综合啪啪| 中文字幕免费在线观看视频| 欧美日韩网站国产| 精品日韩欧美在线国产| 亚洲精品视频在线播放| 另类国产| 色五月丁香激情| 激情精品久久蜜桃|